[发明专利]光电二极管以及使用了该光电二极管的光电IC

摘要

本发明提供一种光电二极管以及使用了该光电二极管的光电IC，其能够避免受硅半导体层与绝缘层的界面处的反射的影响，准确地检测出紫外线的总量。该光电二极管具有：形成在绝缘层上的第1硅半导体层；形成在绝缘层上的具有3nm以上、36nm以下的厚度的第2硅半导体层；形成于上述第2硅半导体层、低浓度扩散了P型和N型中任意一型杂质的低浓度扩散层；形成于第1硅半导体层、高浓度扩散了P型杂质的P型高浓度扩散层；以及隔着低浓度扩散层与该P型高浓度扩散层相对的、高浓度扩散了N型杂质的N型高浓度扩散层。

主权项

1.一种光电二极管，其特征在于，具有：形成在绝缘层上的第1硅半导体层；第2硅半导体层，形成在上述绝缘层上，具有3nm以上、36nm以下的厚度；低浓度扩散层，形成于上述第2硅半导体层，低浓度扩散了P型和N型中任意一型的杂质；P型高浓度扩散层，形成于上述第1硅半导体层，高浓度扩散了P型杂质；以及N型高浓度扩散层，隔着上述低浓度扩散层与该P型高浓度扩散层相对，高浓度扩散了N型杂质。