[发明专利]金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件

摘要

本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

主权项

1、一种用于半导体器件的金属电极形成方法，包括：在半导体衬底(11)的主表面上形成基底电极(12)，其中所述基底电极(12)电连接到半导体元件；在所述基底电极(12)上形成保护膜(13，53)，并在所述保护膜(13，53)中形成开(13a，53a)，使得所述基底电极(12)从所述开口(13a，53a)暴露出来；在所述保护膜(13，53)上形成金属膜(14，54)，以覆盖所述保护膜(13，53)和所述保护膜(13，53)的所述开(13a，53a)；在吸附台(21)上安装具有所述金属膜(14，54)的所述半导体衬底(11)，并通过表面形状测量装置(23)测量所述金属膜(14，54)的至少一部分的表面形状，其中所述吸附平台(21)将所述半导体衬底(11)吸附和固定在该平台(21)上，并且其中所述金属膜(14，54)的一部分设置在所述保护膜(13，53)上；利用能够使所述半导体衬底(11)发生位移的形变装置(24)，基于所述金属膜(14，54)的一部分的表面形状数据使所述半导体衬底(11)发生形变，使得所述半导体衬底(11)的所述主表面和切削表面之间的差异在预定范围之内，并且其中所述形变装置(24)设置在台一侧上；测量所述半导体衬底(11)的所述主表面的表面形状，并判断所述切削表面和所述半导体衬底(11)的所述主表面之间的差异是否在预定范围之内；以及当所述切削表面和所述半导体衬底(11)的所述主表面之间的差异在所述预定范围之内时，沿所述切削表面切削具有所述金属膜(14，54)的所述半导体衬底(11)，以便将所述金属膜(14，54)构图成金属电极(15，55)。