[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 200810081373.0 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101257187A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 川崎和重;中川康幸;松冈裕益 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，是一种具备GaN基板和层叠在该基板上的半导体层、同时在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面的半导体激光器，其特征在于，上述一个共振器端面上设置有反射膜，该反射膜是由材料互不相同的第1电介质膜和第2电介质膜交替层叠4层以上而形成的。
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