[发明专利]绝缘栅场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810074317.4 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101246850A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 冈崎史晃 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/336;H01L27/02;H01L23/532;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括如下步骤：(a)准备基底，该基底包括源/漏区域、沟道形成区域、形成在沟道形成区域上的栅绝缘膜、覆盖源/漏区域的绝缘层和设置在沟道形成区域之上的绝缘层的部分中的栅极电极形成开口；(b)通过在栅极电极形成开口中埋设导电材料层来形成栅极电极；(c)去除绝缘层；以及(d)在整个表面上依次沉积第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，其中在步骤(d)中，在不包含氧原子的沉积气氛中沉积第一层间绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造绝缘栅场效应晶体管的方法，该方法包括如下步骤：(a)准备基底，该基底包括源/漏区域、沟道形成区域、形成在该沟道形成区域上的栅绝缘膜、覆盖该源/漏区域的绝缘层以及设置在该沟道形成区域之上的该绝缘层的部分中的栅极电极形成开口；(b)通过在该栅极电极形成开口中埋设导电材料层来形成栅极电极；(c)去除该绝缘层；以及(d)在整个表面上依次沉积第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，其中在步骤(d)中，在不包含氧原子的沉积气氛中沉积该第一层间绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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