[发明专利]一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdTe纳米棒的方法无效
| 申请号： | 200810072867.2 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101328615A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 简基康;尚飞;孙言飞;吴荣;郑毓峰 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B29/62;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备Ⅱ－Ⅵ族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10－2－2×10－3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 催化剂 辅助 真空 蒸发 生长 cdte 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种催化剂辅助真空热蒸发法生长CdTe纳米棒的方法，其中，使用铋金属粉末做催化剂，纯度99.5％以上的CdTe粉末为原料，按CdTe粉末与铋金属粉末的摩尔比范围为1∶0.25-1∶0.01，混合后置于反应舟中，作为蒸发源设置在真空加热炉内，将衬底设置于水平距蒸发源为4毫米至2厘米处，在真空度为2×10-2×10-3Pa下热蒸发沉积10min-15min，在衬底上获得微观形貌为纳米棒的CdTe薄膜。
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