[发明专利]半导体泵浦ASE激光器无效

专利信息
申请号: 200810072422.4 申请日: 2008-12-16
公开(公告)号: CN101436747A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 吴砺;凌吉武;陈燕平;杨建阳 申请(专利权)人: 福州高意通讯有限公司
主分类号: H01S3/06 分类号: H01S3/06;H01S3/063;H01S3/0941;H01S3/16
代理公司: 厦门市诚得知识产权代理事务所 代理人: 方惠春;黄国强
地址: 350014福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及激光领域,尤其涉及自发辐射放大(ASE)激光器。本发明的半导体泵浦ASE激光器采用LD或LD阵列泵浦无腔激光增益介质,产生高光束质量的自发放大辐射光。该结构包括LD泵浦系统,光学耦合系统及激光增益介质腔。激光增益介质一端镀振荡波长的高反膜,LD线形条状泵浦增益介质,产生的振荡波长两次经过增益介质,获得自发放大辐射光。激光增益介质可为微片结构,波导腔结构或腔内泵浦的双腔结构。本发明结构简单,调整容易,是很有应用前景的新型宽带光源。
搜索关键词: 半导体 ase 激光器
【主权项】:
1、半导体泵浦ASE激光器,采用LD或LD阵列泵浦无腔激光增益介质,产生高光束质量的自发放大辐射光,其特征在于:其包括泵浦系统、光学耦合系统及激光增益介质腔,所述的激光增益介质腔一端镀ASE振荡波长的高反膜,泵浦系统的泵浦光线型长条状泵浦激光增益介质,所产生的振荡波长两次经过所述的激光增益介质,以获得自发辐射光。
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