[发明专利]半导体泵浦ASE激光器无效
申请号: | 200810072422.4 | 申请日: | 2008-12-16 |
公开(公告)号: | CN101436747A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 吴砺;凌吉武;陈燕平;杨建阳 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | H01S3/06 | 分类号: | H01S3/06;H01S3/063;H01S3/0941;H01S3/16 |
代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所 | 代理人: | 方惠春;黄国强 |
地址: | 350014福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及激光领域,尤其涉及自发辐射放大(ASE)激光器。本发明的半导体泵浦ASE激光器采用LD或LD阵列泵浦无腔激光增益介质,产生高光束质量的自发放大辐射光。该结构包括LD泵浦系统,光学耦合系统及激光增益介质腔。激光增益介质一端镀振荡波长的高反膜,LD线形条状泵浦增益介质,产生的振荡波长两次经过增益介质,获得自发放大辐射光。激光增益介质可为微片结构,波导腔结构或腔内泵浦的双腔结构。本发明结构简单,调整容易,是很有应用前景的新型宽带光源。 | ||
搜索关键词: | 半导体 ase 激光器 | ||
【主权项】:
1、半导体泵浦ASE激光器,采用LD或LD阵列泵浦无腔激光增益介质,产生高光束质量的自发放大辐射光,其特征在于:其包括泵浦系统、光学耦合系统及激光增益介质腔,所述的激光增益介质腔一端镀ASE振荡波长的高反膜,泵浦系统的泵浦光线型长条状泵浦激光增益介质,所产生的振荡波长两次经过所述的激光增益介质,以获得自发辐射光。
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