[发明专利]薄膜晶体管面板

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管面板，包括一绝缘基板、及设置于其上的多个源极线、多个栅极线、多个像素电极及多个薄膜晶体管，该多个源极线按行相互平行设置，该多个栅极线按列相互平行设置，该多个栅极线与该多个源极线交叉并绝缘设置，从而将该绝缘基板表面划分成多个网格区域，该每一网格区域中设置一像素电极及一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一源极、一与该源极间隔设置的漏极、一半导体层、以及一栅极，该源极与一源极线电连接，该漏极与一像素电极电连接，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置并与一栅极线电连接，其中，该薄膜晶体管中的半导体层为半导体性碳纳米管层。

主权项

1.一种薄膜晶体管面板，包括：一绝缘基板；多个源极线，该多个源极线位于绝缘基板表面并按行相互平行设置；多个栅极线，该多个栅极线位于绝缘基板表面并按列相互平行设置，该多个栅极线与该多个源极线交叉并绝缘设置，从而将该绝缘基板表面划分成多个网格区域；多个像素电极，每一像素电极设置于每一网格区域中；以及多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管设置于每一网格区域中，该薄膜晶体管包括一源极、一与该源极间隔设置的漏极、一半导体层、以及一栅极，该源极与一源极线电连接，该漏极与一像素电极电连接，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置并与一栅极线电连接，其特征在于，该薄膜晶体管中的半导体层为半导体性碳纳米管层。