[发明专利]薄膜晶体管面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管面板，包括：

一绝缘基板；

多个源极线，该多个源极线位于绝缘基板表面并按行相互平行设置；

多个栅极线，该多个栅极线位于绝缘基板表面并按列相互平行设置，该 多个栅极线与该多个源极线交叉并绝缘设置，从而将该绝缘基板表面划分成 多个网格区域；

多个像素电极，每一像素电极设置于每一网格区域中；以及

多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管设置于每一网格区域中，该薄膜晶体 管包括一源极、一与该源极间隔设置的漏极、一半导体层、以及一栅极，该 源极与一源极线电连接，该漏极与一像素电极电连接，该半导体层与该源极 和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置并 与一栅极线电连接，

其特征在于，该薄膜晶体管中的半导体层为半导体性碳纳米管层，该碳 纳米管层由多个碳纳米管组成，该多个碳纳米管沿源极至漏极方向择优取向 排列，所述半导体性碳纳米管层包括一个碳纳米管薄膜或重叠设置的多个碳 纳米管薄膜，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米管平行于碳纳米管薄膜的表面。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述碳纳米管薄膜中 的碳纳米管为相互平行且并排设置。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述碳纳米管薄膜包 括多个碳纳米管束，每个碳纳米管束具有大致相等的长度且每个碳纳米管束 由多个相互平行的碳纳米管构成，所述碳纳米管束两端通过范德华力首尾相 连。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述半导体性碳纳米 管层包含半导体性的单壁或双壁碳纳米管，半导体性碳纳米管的直径小于10 纳米。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述网格区域以矩阵 方式按行及按列排列，所述每行网格区域中的薄膜晶体管的源极均与其所在 行的源极线电连接，所述每列网格区域中的薄膜晶体管的栅极均与其所在列 的栅极线电连接。

6.如权利要1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述像素电极的材料为 铟锡氧化物、锑锡氧化物、铟锌氧化物或金属性碳纳米管。

7.如权利要1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述像素电极的面积为 10平方微米～0.1平方毫米。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述薄膜晶体管中的 栅极、源极及漏极的材料为金属、合金、铟锡氧化物、锑锡氧化物、导电银 胶、导电聚合物或金属性碳纳米管，所述薄膜晶体管中的绝缘基板的材料为 玻璃、石英、陶瓷、硅片、金刚石、塑料或树脂，所述薄膜晶体管中的绝缘 层的材料为氮化硅、氧化硅、苯并环丁烯、聚酯或丙烯酸树脂。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述薄膜晶体管中的 半导体层设置于所述绝缘基板表面，所述源极及漏极间隔设置于所述半导体 层表面，所述绝缘层设置于所述半导体层表面，所述栅极设置于所述绝缘层 表面，并通过该绝缘层与该半导体层、源极和漏极绝缘设置。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述薄膜晶体管中的 栅极设置于所述绝缘基板表面，所述绝缘层设置于所述栅极表面，所述半导 体层设置于所述绝缘层表面，通过所述绝缘层与栅极绝缘设置，所述源极及 漏极间隔设置并与上述半导体层电接触，该源极和漏极通过绝缘层与上述栅 极电绝缘。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，该薄膜晶体管面板每 一网格区域进一步包括一钝化层，该钝化层覆盖所述薄膜晶体管并具有一暴 露所述漏极的通孔，所述像素电极覆盖整个网格区域及网格区域内的薄膜晶 体管，并通过通孔与漏极电连接。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，该薄膜晶体管进一步 包括一沟道，该沟道为所述半导体层位于所述源极和漏极之间的区域，该沟 道及半导体层的长度为1微米～100微米，宽度为1微米～1毫米，厚度为0.5 纳米～100微米。