[发明专利]Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 200810061237.5 | 申请日： | 2008-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101245460A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;林均铭;吴亚贞;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由高纯ZnO和Nb2O5粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Nb的摩尔百分含量为0.1％～5％。将掺Nb的ZnO陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，生长室抽真空，在压强为0.01～1Pa的纯氧气氛下生长，生长温度为100～600℃。本发明方法简单，电子浓度可以通过调节靶材中Nb的摩尔百分含量控制；掺杂元素来自靶材，可以实现高浓度掺杂；制得的n型ZnO透明导电薄膜具有良好的光电性能，电阻率为10－3～10－4Ωcm，可见光区域透射率为85％以上。 | ||
| 搜索关键词： | nb 掺杂 生长 zno 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法，其特征在于包括如下步骤：1)称取25～30g纯度≥99.99％的ZnO和0.01～1g纯度≥99.99％的Nb2O5 粉末，球磨混合均匀、压制成型，然后在1000～1300℃温度下烧结，制得掺Nb的ZnO陶瓷靶；2)将掺Nb的ZnO陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为4～6cm，生长室抽真空度至少至10-3Pa，衬底加热升温到100～600℃，生长室通入纯度≥99.99％的氧气，控制压强为0.01～1Pa，开启激光器，让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材，形成余辉，沉积在衬底上，制得Nb掺杂n型ZnO透明导电薄膜，将薄膜在氧气氛下冷却至室温。
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