[发明专利]用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810059558.1 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101246952A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 吴刚;韩延刚;陈红征;汪茫 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 张法高
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法。首先采用电化学阳极氧化的方法将高纯金属基片或沉积在基底上的高纯金属部分氧化,获得管状金属氧化物阵列,然后依次涂有机层和电极层。通过合适的工艺控制管状金属氧化物阵列的长度以及有机层与电极层厚度。本发明的优点是通过有机、无机半导体材料的组合,充分综合了有机材料价格低廉、结构易调、可大面积制作,以及无机材料稳定性好的优点,同时利用阵列化的无机半导体材料,提高响应度,其工艺简单,易于实现。
搜索关键词: 用于 紫外 探测 有机 无机 有序 复合 器件 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)纯度为95~99.8%的高纯金属片或沉积有95~99.8%的高纯金属的基底依次用丙酮、异丙醇、甲醇超声洗涤1~20分钟后,用去离子水漂洗并烘干,再对其进行化学抛光,获得基底电极;2)以铂片作为阴极,基底电极作为阳极,在电解液中,对阳极进行氧化,电压为2~30伏,时间为5~120分钟,用去离子水冲洗后,置于180~680℃空气或氧气环境中热处理3-9小时后自然降温,取出,获得管状金属氧化物阵列;3)在管状金属氧化物阵列上涂覆一层厚度为2nm~200nm的有机层;4)在有机层上涂覆一层厚度为2~60nm的电极层。
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