[发明专利]用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法无效
申请号: | 200810059558.1 | 申请日: | 2008-01-31 |
公开(公告)号: | CN101246952A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 吴刚;韩延刚;陈红征;汪茫 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 紫外 探测 有机 无机 有序 复合 器件 制备 方法 | ||
1.一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1)纯度为95~99.8%的高纯金属片或沉积有95~99.8%的高纯金属的基底依次用丙酮、异丙醇、甲醇超声洗涤1~20分钟后,用去离子水漂洗并烘干,再对其进行化学抛光,获得基底电极;
2)以铂片作为阴极,基底电极作为阳极,在电解液中,对阳极进行氧化,电压为2~30伏,时间为5~120分钟,用去离子水冲洗后,置于180~680℃空气或氧气环境中热处理3-9小时后自然降温,取出,获得管状金属氧化物阵列;
3)在管状金属氧化物阵列上涂覆一层厚度为2nm~200nm的有机层;
4)在有机层上涂覆一层厚度为2~60nm的电极层。
2.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于所述高纯金属片为钛、锌、镍、镁、铝或锡。
3.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于所述的基底为普通玻璃、导电玻璃、硅片或高分子树脂,高纯金属采用真空蒸镀或磁控溅射方法沉积在基底上,厚度为1μm~100μm。
4.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于所述的电解液是硫酸、醋酸、盐酸、磷酸、氟化钾水溶液、氟化钠水溶液、硫酸氢钠水溶液中的一种或几种的混合物,电解液pH值为1~6.5。
5.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于所述的管状金属氧化物阵列的管长为0.02μm~10μm、管径为10nm~120nm。
6.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于所述的有机层为三苯胺、烷基取代三苯胺、苯腙、萘苯腙、四苯基联苯胺、烷基取代四苯基联苯胺、聚乙烯基咔唑、联吡啶、吡唑啉、聚苯撑乙烯或烷基取代聚苯撑乙烯。
7.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于电极层为金、银、铝、镁、钙、铂或碳胶。
8.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于有机层的涂覆方法为溶液旋涂、浸涂或真空蒸镀。
9.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法,其特征在于电极层的涂覆方法为磁控溅射、真空蒸镀或刷涂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择