[发明专利]多反应腔原子层沉积装置和方法

摘要

本发明属于半导体制造装备和加工技术领域的一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。该原子层沉积装置为A、B两相反应的反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上，A、B两反应室各自通过通道阀门将反应腔和过渡腔连通，反应腔再通过真空阀、贮存室隔板和贮存室相通，在贮存室上部设置进气阀构成。所述沉积方法是在该装置内，集成电路的圆片在A、B反应腔之间经过通道阀门来回传送，传送至A反应腔时将发生A相反应，传送至B反应腔时将发生B相反应，A、B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生长出集成电路所要求厚度的纳米薄层或复合结构材料。对反应腔室的沾污小，提高淀积质量；节约反应源用量，降低工艺成本，使环境危害程度最低。

主权项

1.一种多反应腔的原子层沉积装置，其特征在于，所述多反应腔的原子层沉积装置为A、B两相反应的反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上；A、B两反应室各自通过通道阀门和过渡腔连通，反应腔再通过真空阀、贮存室隔板和贮存室相通，在贮存室上部设置反应物进气阀。