[发明专利]中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤为：(1)配制电沉积液，pH值为6.5－7.0；(2)采取双电位阶跃方式镀膜；(3)将薄膜于空气下室温干燥；(4)将薄膜于氩气氛下400℃热处理0.5小时，得到黄铜矿结构的CuInSe₂薄膜。本发明首次采用双电位阶跃电沉积方法，以CuCl₂·2H₂O、InCl₃·4H₂O、SeO₂为原料，CirNa为络合剂，解决了CuInSe₂薄膜在ZnO等耐酸碱性较差、易腐蚀性基体上的沉积问题。本发明是薄膜太阳能电池的重要组成部分，用于太阳能电池及一些光敏元件等方面。

主权项

1.一种中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤如下：(1)电沉积液的配制：在室温下，以200mL溶液为总体积，配制二水氯化铜、四水氯化铟、二氧化硒的柠檬酸钠络合溶液，组成为CuCl2·2H2O：1.0-2.0mM、Cu/In摩尔比1.5-2.0，(Cu+In)/Se＝1，CirNa/(Cu+In)＝5-9。所述电沉积溶液的pH值为6.5-7.0；(2)将标准三电极系统放入电沉积溶液中，其中铂电极为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，氧化铟锡玻璃为工作电极；采取双电位阶跃方式，阶跃电位点1为800mV，持续时间为10-30秒；阶跃电位点2为1400mV，持续时间为20-60秒；阶跃循环次数为5-15次；(3)将沉积后的薄膜于空气下室温干燥；(4)将干燥后的薄膜于氩气氛下400℃热处理0.5小时，得到黄铜矿结构的CuInSe2薄膜。