[发明专利]中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法

权利要求书

1.一种中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤如下：

(1)电沉积液的配制：在室温下，以200mL溶液为总体积，配制二水氯化铜、四水氯化铟、二氧化硒的柠檬酸钠络合溶液，组成为CuCl₂·2H₂O：1.0-2.0mM、Cu/In摩尔比1.5-2.0，(Cu+In)/Se＝1，CirNa/(Cu+In)＝5-9。所述电沉积溶液的pH值为6.5-7.0；

(2)将标准三电极系统放入电沉积溶液中，其中铂电极为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，氧化铟锡玻璃为工作电极；采取双电位阶跃方式，阶跃电位点1为800mV，持续时间为10-30秒；阶跃电位点2为1400mV，持续时间为20-60秒；阶跃循环次数为5-15次；

(3)将沉积后的薄膜于空气下室温干燥；

(4)将干燥后的薄膜于氩气氛下400℃热处理0.5小时，得到黄铜矿结构的CuInSe₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备铜铟硒薄膜的方法，其特征在于，步骤(2)阶跃电位点1为800mV，持续时间均为30秒，阶跃电位点2为1400mV，持续时间均为60秒；阶跃循环次数为5次。