[发明专利]一种用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810047410.6 申请日: 2008-04-22
公开(公告)号: CN101265107A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 傅正义;王为民;王皓;王玉成;张金咏;张帆;梅柄初;张清杰 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/583;C04B35/56;C04B35/622
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 唐万荣
地址: 430070湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于复相陶瓷材料领域。一种用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)按TiB2∶BN∶Ti∶Si∶TiC的摩尔比为(0.50~1.02)∶(0.81~2.02)∶(0.10~0.26)∶(0.10~0.26)∶(0.20~0.52),选取TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si粉和TiC粉,备用;2)将TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si粉和TiC粉均匀混合,置于石墨模具中,在氩气环境中采用感应热压或通电热压进行烧结,然后随炉冷却,得到用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料。本发明获得电阻率均匀、抗热震性好、耐金属熔蚀性好的多元复相陶瓷材,提高复相陶瓷坩埚的使用寿命;同时,生产过程成本低。该多元复相陶瓷材料用于制备导电坩埚。
搜索关键词: 一种 用于 导电 坩埚 多元 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料,其特征在于它的组成表示为:TiB2-BN-Ti3SiC2,TiB2所占质量百分比为30~60%,BN所占质量百分比为20~50%,Ti3SiC2 所占质量百分比为20~50%。
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