[发明专利]高稳定性齐纳二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810044071.6 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101752429A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;吕赵鸿 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高稳定性齐纳二极管，包括：硅衬底；氧化硅，在硅衬底的上表面；P阱，在硅衬底之中；相邻的P型重掺杂区和N型重掺杂区，在P阱之中；二金属电极，在硅衬底的上表面，且分别接触P型重掺杂区和N型重掺杂区；所述齐纳二极管还包括：多晶硅，在N型重掺杂区上方的氧化硅上表面，所述多晶硅接零电位或低电位。本发明还公开了一种上述齐纳二极管的制造方法。本发明的创新之处在于，在N型重掺杂区上方的二氧化硅上淀积多晶硅，多晶硅接零电位。这样，N型重掺杂区表面的电场垂直地指向硅表面，将使得表面电流变成体电流，减小了硅与氧化硅界面处各种不利的因素对齐纳二极管稳定性的影响，从而有效地提高了齐纳二极管的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定性 齐纳二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高稳定性齐纳二极管，包括：硅衬底；氧化硅，在硅衬底的上表面；P阱，在硅衬底之中；相邻的P型重掺杂区和N型重掺杂区，在P阱之中；二金属电极，在硅衬底的上表面，且分别接触P型重掺杂区和N型重掺杂区；其特征是：所述齐纳二极管还包括：多晶硅，仅在N型重掺杂区上方的氧化硅上表面，所述多晶硅接零电位或低电位。
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