[发明专利]沟槽型功率MOS晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810043940.3 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740615A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 魏炜;程义川;王凡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型功率MOS晶体管，该MOS晶体管包括在沟槽内填充多晶硅的栅极和沟槽内壁的栅氧，且沟槽底部的栅氧比沟槽侧壁的栅氧厚两倍以上。本发明的沟槽型功率MOS晶体管，实现了在没有改变器件崩溃电压、工作电压等电学性能的前提下提高其工作频率的目的。本发明还公开了一种沟槽型功率MOS晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率MOS晶体管，所述沟槽型功率MOS晶体管包括在硅基体上从下往上依次平行设置的漏区、衬底区和源区，垂直与所述漏区、衬底区和源区的沟槽内为填充有多晶硅的栅级，所述多晶硅和沟槽内壁之间生长有栅氧，其特征在于：所述沟槽底部的栅氧比沟槽侧壁的栅氧厚两倍以上，且所述沟槽底部的栅氧的上表面低于所述衬底区的下表面。
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