[发明专利]芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法无效
| 申请号： | 200810043847.2 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101728283A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法，集成在现有的芯片制备流程中，其特征在于：在硅片上完成器件制备以及氧化硅衬垫层之后，金属前介质层淀积之前，增加一先在硅片预定位置处刻蚀形成芯片互联通孔的步骤和后用导电树脂填充所述刻蚀出的芯片互联通孔的步骤；在后续的金属化工艺中，将芯片互联通孔中的导电树脂逐层通过接触孔和金属进行电连接导出，直至在最后的绝缘层上留引脚；后将去除芯片背面的硅片至露出芯片互联通孔中的导电树脂；最后将通过芯片背面的芯片互联通孔将芯片背靠背连接。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 工艺 联通 制备 方法 | ||
【主权项】：
芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法，集成在现有的芯片制备流程中，其特征在于：在硅片上完成器件制备以及氧化硅衬垫层之后，金属前介质层淀积之前，增加一先在硅片预定位置处刻蚀形成芯片互联通孔的步骤和后用导电树脂填充所述刻蚀出的芯片互联通孔的步骤；在后续的金属化工艺中，将芯片互联通孔中的导电树脂逐层通过接触孔和金属进行电连接导出，直至在最后的绝缘层上留接触孔；之后刻蚀芯片背面的硅至露出芯片互联通孔中的导电树脂，而后沿切割道将单个切割硅片形成单个芯片；最后将多个芯片通过TSV通孔将芯片背靠背连接和通过接触孔将芯片正面对正面连接，形成多个芯片的并联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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