[发明专利]隧道窗口制备方法有效
| 申请号： | 200810043263.5 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101562134A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;孙娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隧道窗口制备方法，1.在硅片基体上的隧道氧化膜层上涂布有机抗反射涂层；2.在有机抗反射涂层上淀积低温氧化膜层；3.在低温氧化膜层上涂布光刻胶，并进行光刻；4.对低温氧化膜层进行等离子刻蚀，使得低温氧化膜开口断面呈现开口下部的尺寸比上部尺寸小的倒梯形结构；5.对抗反射涂层进行等离子刻蚀，该刻蚀最终停止于隧道氧化膜层上，并且将光刻胶完全消耗；6.利用化学湿法打开隧道氧化膜，同时去除残余的低温氧化膜；7.去除残余的有机抗反射涂层。本发明可以减小隧道窗口的关键尺寸，降低成本，增加利润。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 窗口 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隧道窗口制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅片基体上的隧道氧化膜层上涂布有机抗反射涂层；第二步，在有机抗反射涂层上淀积低温氧化膜层；第三步，在低温氧化膜层上涂布光刻胶，并进行光刻；第四步，对低温氧化膜层进行等离子刻蚀，使得低温氧化膜开口断面呈现开口下部的尺寸比上部尺寸小的倒梯形结构；第五步，对抗反射涂层进行等离子刻蚀，该刻蚀最终停止于隧道氧化膜层上，并且将光刻胶完全消耗；第六步，利用化学湿法打开隧道氧化膜，同时去除残余的低温氧化膜；第七步，去除残余的有机抗反射涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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