[发明专利]栅结构上金属层的监控方法有效
| 申请号： | 200810042588.1 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101667550A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王吉星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅结构上金属层的方法，它包括以下步骤：提供一种测试元件，所述测试元件包括N型离子注入区、P型离子注入区和横跨所述N型离子注入区和P型离子注入区的栅结构，其中栅结构表面覆盖有金属层；测试覆盖有金属层的栅结构电性参数；监控测试的栅结构电性参数是否符合标准栅结构电性参数，其中标准栅结构电性参数为覆盖的金属层完整时所测出的栅结构电性参数。本发明通过制作应用于WAT测试的栅结构测试元件，测试该种栅结构测试元件电性参数实现此种栅结构表面金属层的监控。该方法可在晶圆制作早期WAT测试阶段发现缺陷金属层，从而节约后段制程中的资源和制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 金属 监控 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅结构上金属层的监控方法，该监控方法包括以下步骤：提供一种测试元件，所述测试元件包括N型离子注入区、P型离子注入区和横跨所述N型离子注入区和P型离子注入区的栅结构，其中栅结构表面覆盖有金属层；测试覆盖有金属层的栅结构电性参数；监控测试的栅结构电性参数是否符合标准栅结构电性参数，其中标准栅结构电性参数为覆盖的金属层完整时所测出的栅结构电性参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
