[发明专利]一种提高相变存储器编程速度的系统及方法有效

专利信息
申请号: 200810040952.0 申请日: 2008-07-24
公开(公告)号: CN101329909A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 丁晟;宋志棠;陈邦明;刘波;陈小刚;蔡道林;封松林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/10
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法,对存储单元进行编程操作的同时,对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作;如果不相同则在本存储单元完成编程操作后,对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复,将读反馈与编程操作并行进行,在提高存储其编程操作可靠性的同时,不影响整体编程速度。
搜索关键词: 一种 提高 相变 存储器 编程 速度 系统 方法
【主权项】:
1.一种提高相变存储器编程速度的系统,其包括编程模块、读取模块,其特征在于:该系统进一步包括读反馈模块,用于与编程模块同时操作;临时存储载体,用于将上一次待写入的数据保存其中,以供读反馈模块调用;比较模块,用于比较读反馈结果与上一或多个写入数据是否相同;地址转换模块,用于通过地址转换协议,使得前后两次编程的地址出现在同一条字线或位线上,或使得前后两次编程的地址不出现在同一个存储块中;两个位线选通器件,用于分别控制读取模块和编程模块。
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