[发明专利]一种提高相变存储器编程速度的系统及方法

权利要求书

1.一种提高相变存储器编程速度的方法，其采用一种提高相变存储器编程速度的系统，该系统包括编程模块、读取模块，其特征在于：该系统进一步包括读反馈模块，用于与编程模块同时操作；临时存储载体，用于将上一次待写入的数据保存其中，以供读反馈模块调用；比较模块，用于比较读反馈结果与上一或多个写入数据是否相同；地址转换模块，用于通过地址转换协议，使得前后两次编程的地址出现在同一条字线或位线上，或使得前后两次编程的地址不出现在同一个存储块中；两个位线选通器件，用于分别控制读取模块和编程模块；

该方法包括以下步骤：

步骤一，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个经过编程操作的单元进行读反馈；

步骤二，如果读反馈结果与上一或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一个或多个存储单元再进行一次编程操作；

步骤三，将上一次待写入的数据保存于寄存器中，以供读反馈调用；

步骤四，采用地址转换协议，使得前后两次编程的地址必须出现在同一条字线或位线上或使得前后两次编程的地址不出现在同一个存储块中。

2.如权利要求1所述的一种提高相变存储器编程速度的方法，其特征在于：用于读取模块的位线选通器件采用薄氧栅和低压控制，用于编程模块的位线选通器件采用厚氧栅和高压控制。

3.如权利要求2所述的一种提高相变存储器编程速度的方法，其特征在于：所述地址转换协议采用蛇形数据存储顺序。

4.如权利要求2所述的一种提高相变存储器编程速度的方法，其特征在于：所述地址转换模块在相变存储器外部，由外部的控制使得前后两次编程数据处于同一字线或位线上；或使得前后两次编程的地址不出现在同一个存储块中。

5.如权利要求2所述的一种提高相变存储器编程速度的方法，其特征在于：所述地址转换模块在相变存储器内部，由内部的逻辑控制电路控制使得前后两次编程数据处于同一字线或位线上；或使得前后两次编程的地址不出现在同一个存储块中。

6.如权利要求2所述的一种提高相变存储器编程速度的方法，其特征在于：在字线和位线分别设计灵敏放大器。