[发明专利]TFT MONOS或SONOS存储单元结构有效

申请号：	200810040283.7	申请日：	2008-07-02
公开（公告）号：	CN101621005A	公开（公告）日：	2010-01-06
发明（设计）人：	三重野文健	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L29/792;H01L27/12
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人：	刘继富;顾晋伟
地址：	201210***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明提供具有薄膜晶体管(TFT)金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体(MONOS)或半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体(SONOS)存储单元结构的器件。该器件包括衬底、在衬底上的介电层和嵌入该介电层的一个或多个源极或漏极区。介电层与第一表面相连。所述一个或多个源极或漏极区的每个包括在扩散势垒层上的N⁺多晶硅层，所述扩散势垒层在导电层上。该N⁺多晶硅层具有与第一表面基本上共面的第二表面。
搜索关键词：	tft monos sonos 存储单元结构
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【主权项】：

1.一种制造薄膜晶体管(TFT)金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体(MONOS)或半导体-氧化物-氮化物-半导体(SONOS)存储单元结构的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成一个或多个源极或漏极区，所述一个或多个源极或漏极区的每一个与第一表面相连并包括N+多晶硅层、势垒层和第一导电层，所述N+多晶硅层在所述势垒层上，所述势垒层覆盖所述第一导电层，所述第一表面由N+多晶硅构成；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层与第二表面相连，所述第二表面与第一表面基本上共面；形成覆盖所述第一表面和第二表面的P-多晶硅层，所述P-多晶硅层能够形成从所述源极区到所述漏极区的沟道；形成覆盖所述P-多晶硅层的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层；形成覆盖所述ONO层的第二导电层；和通过图案化所述第二导电层形成至少一个控制栅极。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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