[发明专利]阵列基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200810037509.8 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101582430A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李小和 | 申请（专利权）人： | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 薛 琦;朱水平 |
| 地址： | 201108上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括一玻璃基板以及依次位于该玻璃基板上的第一金属层图形、第一绝缘层、非晶层图形、氮离子非晶层、第二金属层图形、第二绝缘层和氧化物导电层图形，该第一金属层图形作为一存储电容的第一电极，其特征在于，该非晶层图形通过一接触孔连接该氧化物导电层图形作为存储电容的第二电极。本发明阵列基板及其制造方法减小了存储电容的第二电极和透光区的段差，解决在工艺制造中带来的摩擦工艺不良以及信赖性问题，并提升对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种阵列基板，其包括一玻璃基板以及依次位于该玻璃基板上的第一金属层图形、第一绝缘层、非晶层图形、氮离子非晶层、第二金属层图形、第二绝缘层和氧化物导电层图形，该第一金属层图形作为一存储电容的第一电极，其特征在于，该非晶层图形通过一接触孔连接该氧化物导电层图形作为存储电容的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
