[发明专利]碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法无效
申请号: | 200810036256.2 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101261998A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 朱龙源;李向阳;王妮丽;刘诗嘉;储开慧;赵水平;兰添翼;刘向阳;张红妹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/82;H01L21/28 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法,该探测器包括:衬底,与衬底接触的碲镉汞薄片,通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区,其特征是:信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置,在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法,主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是:电极区采用多层立交布置,增大了光敏面的有效使用面积,提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件,尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。 | ||
搜索关键词: | 碲镉汞长 波光 导型红 外面 探测器 多层 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器,包括:衬底(1),通过环氧胶(2)固定在衬底上的碲镉汞薄片,与衬底接触的碲镉汞薄片一面带有钝化层(3),通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵(4)及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区(5)和公共电极区(6),信号引出电极区(5)上依次生长有金属铟层(501)、金属金层(502),公共电极区(6)上依次生长有金属铬层(601)、金属金层(602),其特征在于:信号引出电极区(5)和公共电极区(6)为多层立交布置,公共电极区位于信号引出电极区上面,在两层电极区叠交处依次设置有负胶层(7)、SiO2层(8)作为复合绝缘介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的