[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该制造方法在刻蚀出沟道之后，利用等离子体处理使所述沟道位置的欧姆接触层形成氧化物或氮化物，从而形成薄膜晶体管的钝化层，然后在直接所述的欧姆接触层上直接沉积设置像素电极，本发明的制造方法可以节省一道光罩工序，因而简化制造过程，降低成本。此外本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素电极和共通电极间只设置有一层栅绝缘层，更有利于提高存储电容。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，并该基板上形成一第一金属层，然后涂布光刻胶。利用一第一光罩在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案；以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅电极、扫描端子、共通电极和共通端子的第一导电图案层；在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；在基板上沉积一第二金属层，其具有沟道区、数据线和源极区，涂布光刻胶；利用第二光罩在该第二金属层之上形成一第二光刻胶图案，其中覆盖所述数据线和源极区的光刻胶层具有第一高度，覆盖所述沟道区的光刻胶具有第二高度，该第一高度大于第二高度；以该第二光刻胶图案为掩模，去除部分的该第二金属层、半导体层和欧姆接触层；去除该第二光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第二高度光刻胶层所覆盖的沟道区；以该第二光刻胶图案为掩模，去除该沟道区的第二金属层以形成沟道，从而形成薄膜晶体管的源、漏极；利用等离子体处理使所述沟道位置的欧姆接触层形成氧化物或氮化物，从而形成薄膜晶体管的钝化层；利用一第三光罩形成像素电极，并且该像素电极与所述的漏极电连接。