[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，并该基板上形成一第一金属层，然后涂布光刻胶。

利用一第一光罩在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案；

以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅电极、扫描端子、共通电极和共通端子的第一导电图案层；

在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；

在基板上沉积一第二金属层，其具有沟道区、数据线和源极区，涂布光刻胶；

利用第二光罩在该第二金属层之上形成一第二光刻胶图案，其中覆盖所述数据线和源极区的光刻胶层具有第一高度，覆盖所述沟道区的光刻胶具有第二高度，该第一高度大于第二高度；

以该第二光刻胶图案为掩模，去除部分的该第二金属层、半导体层和欧姆接触层；

去除该第二光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第二高度光刻胶层所覆盖的沟道区；

以该第二光刻胶图案为掩模，去除该沟道区的第二金属层以形成沟道，从而形成薄膜晶体管的源、漏极；

利用等离子体处理使所述沟道位置的欧姆接触层形成氧化物或氮化物，从而形成薄膜晶体管的钝化层；

利用一第三光罩形成像素电极，并且该像素电极与所述的漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于：该第二光罩为一多灰阶光罩，其中对应所述数据线和源极区的为完全不透光区域，对应所述沟道区的为部分透光区域。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于：所述的等离子体处理为氧等离子体或氮等离子体处理。

4.一种使用权利要求1所述的方法制造的薄膜晶体管阵列基板，包括一绝缘基板、交叉排列的栅极线和数据线、形成于栅极线和数据线交叉位置的、由栅极线和数据线分隔区域限定的像素电极、连接到数据线的数据焊盘以及连接到栅线的栅焊盘，并且分别形成于第一金属层、第二金属层和像素电极层，在第一金属层和第二金属层之间依次沉积有一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层，所述的薄膜晶体管包括形成于第一金属层的栅极和形成于第二金属层的源极、漏极，其特征在于：在所述的薄膜晶体管的沟道位置的欧姆接触层经等离子体处理后形成氧化物或氮化物，成为薄膜晶体管的钝化层，在所述的第二金属层及绝缘基板上直接沉积设置像素电极，该像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。