[发明专利]双层配线结构的TFT阵列基板无效
申请号: | 200810032452.2 | 申请日: | 2008-01-09 |
公开(公告)号: | CN101217155A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 杨海鹏 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/13 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种双层配线结构的TFT阵列基板,包括焊盘、信号配线,在所述阵列基板像素电极层的配线区域,对应于每一根信号配线旁不设置信号配线的区域还设置与信号配线一一对应的修复配线,在修复配线的一侧设有至少两个与对应信号配线重叠的连接凸块,连接凸块与对应信号配线通过接触孔连接导通,所述的连接凸块至少包括设置于修复配线两端的连接凸块。本发明的双层配线结构的TFT阵列基板在配线处某一层金属发生断路时,无需增加任何工艺步骤,信号可以通过另一层配线绕过断线处传送到像素区域,使配线区断路引起的线缺陷问题得到有效的解决,从而大大改善了画面显示质量。 | ||
搜索关键词: | 双层 结构 tft 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种双层配线结构的TFT阵列基板,包括焊盘、信号配线,其特征在于:在所述阵列基板像素电极层的配线区域,对应于每一根信号配线旁不设置信号配线的区域还设置与信号配线一一对应的修复配线,在修复配线的一侧设有至少两个与对应信号配线重叠的连接凸块,连接凸块与对应信号配线通过接触孔连接导通,所述的连接凸块至少包括设置于修复配线两端的连接凸块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广电光电子有限公司,未经上海广电光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810032452.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的