[发明专利]散热基板上真空溅镀形成导电线路的方法有效
申请号: | 200810024702.8 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101572994A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 吴政道;郭雪梅 | 申请(专利权)人: | 汉达精密电子(昆山)有限公司 |
主分类号: | H05K3/10 | 分类号: | H05K3/10;H05K3/16;H05K3/18;H05K7/20;C23F1/12;C23C16/513;C23C14/34;C23C14/54;C23F1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 21530*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种散热基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于包括以下步骤:提供一金属基材并将该金属基材置于等离子反应室中;将混有高侵蚀性气体的气体混合物通入该等离子反应室中,对该金属基材的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表面粗糙度;于该等离子反应室中等离子化学气相沉积,产生自由基等离子,并在该金属基材的表面形成高导热膜层;于形成有高导热膜层的金属基材外层溅镀上金属导电层与金属防护层;抗蚀刻膜屏蔽电路图的导体部分,蚀刻去除非导体部分,再脱去抗蚀刻膜。本发明工艺制程简单,导热性佳,且工艺环保。 | ||
搜索关键词: | 散热 基板上 真空 形成 导电 线路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)提供一金属基材并将该金属基材置于等离子反应室中;(2)将混有高侵蚀性气体的气体混合物通入该等离子反应室中,对该金属基材的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表面粗糙度;(3)于该等离子反应室中等离子化学气相沉积,产生自由基等离子,并在该金属基材的表面形成高导热膜层;(4)于形成有高导热膜层的金属基材外层溅镀上金属导电层与金属防护层;(5)抗蚀刻膜屏蔽电路图的导体部分,蚀刻去除非导体部分,再脱去抗蚀刻膜。
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