[发明专利]散热基板上真空溅镀形成导电线路的方法

说明书

【技术领域】

本发明是一种在绝缘基板上形成导电线路的方法，特别是采用真空溅镀工 艺在散热基板上形成导电线路的方法。

【背景技术】

目前电子产品的导电线路基板是在塑料基板或经过绝缘导热处理后的金属 基板上制作线路，为了提高其散热性再在导电线路基板下方加装散热片如铝和 铜的散热片。另外，导电线路基板和散热片之间连接用的导热胶成为未来高功 率电子元器件散热一个瓶颈点。

电浆化学气相沉积(Plasma Chemical Vapor Deposition，PCVD)原理：当 气体在低压的环境下通过电场，气体分子受到足够能量电子的碰撞会产生离子、 自由基(Free Radical)、原子、分子残骸、光子及更多的电子。电浆利用高能 电子或离子来破坏气体分子的键结而断键，再利用气体分子产生的自由基靠着 低压气相扩散的传递在被镀物的表面产生特定功用的有机无机或混成膜.由于 化学反应是同时在气相及与被镀物的表面进行，其产生的沉积膜是以非结晶 (amorphous)的形态产生高度交联的沉积膜，无法以严谨的化学组成分子式来规 范，而奈米厚度沉积膜的物理化学及光电的特性确又能达到一般传统镀膜所无 法达到的。

有鉴于此，实有必要提供一种运用电浆气相沉积法之新颖的薄膜镀膜技术 结合真空溅镀技术，在散热基板上直接制备高效散热线路的方法。

【发明内容】

本发明的主要目的在于提供一种散热基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，制程工艺简单，工艺环保。

为达上述目的，本发明提供一种散热基板上真空溅镀形成导电线路的方法， 其特征在于包括以下步骤：提供一金属基材并将该金属基材置于等离子反应室 中；将混有高侵蚀性气体的气体混合物通入该等离子反应室中，对该金属基材 的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表面粗糙度；于该等离子反应室中等离 子化学气相沉积，产生自由基等离子，并在该金属基材的表面形成高导热膜层； 于形成有高导热膜层的金属基材外层溅镀上金属导电层与金属防护层；抗蚀刻 膜屏蔽电路图的导体部分，蚀刻去除非导体部分，再脱去抗蚀刻膜。

与现有技术相比较，本发明工艺制程简单，导热性佳，且工艺环保。

【附图说明】

图1为本发明散热基板上真空溅镀形成导电线路的方法的工艺流程图。

【具体实施方式】

请参阅图1所示，本发明散热基板上真空溅镀形成导电线路的方法包括以 下步骤：

步骤201：提供一金属基材并将该金属基材置于等离子反应室(等离子反应 室可为批次式或连续式(in-line)化学气相沉积反应器)中，当金属基材放在等 离子中时，金属基材表面会带20～30 volts的负电压。其中，该金属基材的表 面为条状、平面、曲面或三维等任何形状和任何的表面状态。该金属基材的材 质为铝、铜和其合金之一。且该金属基材需经前处理，前处理包括脱脂，酸洗， 清洗等步骤，使该金属基材的表面清洁。

步骤202：等离子前处理

将混有高侵蚀性气体(如CF₄，CF₂Cl₂，Cl₂等的一种或多种)的气体混合物通 入该等离子反应室中，对该金属基材的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表 面粗糙度；其中，气体混合物中还包括反应性气体(可为氮气或氧气)或惰性气 体(可为Ar或He)。

步骤203：等离子气相沉积

于该等离子反应室中等离子化学气相沉积，以使该金属基材的表面形成高 导热膜层，其中，该高导热涂层包括等离子界面转换层及等离子高导热绝缘层， 且高导热膜层为复合堆叠而成。等离子气相沉积的具体步骤包括：等离子气相 沉积渐变层及等离子气相沉积高导热绝缘层。