[发明专利]一种半导体材料上的光刻标记及其制作方法无效
| 申请号： | 200810024289.5 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101320215A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 柏松;冯忠;陈刚;蒋幼泉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016江苏省南京市中山东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体材料上的光刻标记，具有陡直的沟槽，光刻标记表面有一层50～300nm厚的难熔金属膜。本发明还公开了上述半导体材料上的光刻标记的三种制作方法。本发明的半导体材料上的光刻标记，解决了由于半导体材料表面反射率低而造成的光刻标记不能被光刻系统识别或者由于光刻标记分辨率太低导致光刻精度降低的问题；同时这种光刻标记经过高温工艺后能够保持良好的表面形貌，保证了采用高温工艺的半导体器件的光刻工艺精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 光刻 标记 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体材料上的光刻标记，具有陡直的沟槽，其特征在于光刻标记表面有一层50～300nm厚的难熔金属膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810024289.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柴油发动机燃用植物油的装置
- 下一篇：橡胶帘密封干式煤气柜调平装置滑轮
