[发明专利]无籽晶声表面波石英晶体的生产方法

摘要

无籽晶声表面波石英晶体的生产方法，涉及电子领域的电子元器件原材料的生产方法，尤其是涉及应用于制造声表面波(SAW)电子元器件的原材料石英晶体的生产方法。其包括籽晶的选料切割、籽晶切割后处理、采用水热温差法在高压釜中使籽晶生长等步骤。本发明所生产的无籽晶石英晶体，其为厚度可超过30mm、长宽超过110mm的r块晶体，完全满足用于加工尺寸达到4英寸的大尺寸无籽晶声表面波石英基片的要求。

主权项

1、无籽晶声表面波石英晶体的生产方法，其特征在于包括如下步骤：a，籽晶的切割，采用材质均匀的石英晶体，按照yxl38°13′旋转Y切成籽晶，籽晶平行于r面；b，籽晶的处理，切割好的籽晶，要经过清洗，再用HF酸腐蚀1——3小时，去掉由于切割后不完整的晶格，清洗后找准籽晶的-X面，在靠近-X面的边上打孔；c，水热温差法生长r块晶体，将打孔后的籽晶穿上铁丝固定在内部中部设置有开孔档板的高压釜内的籽晶架上，然后向高压釜内添加矿化剂以供籽晶生长，矿化剂淹没档板并充满高压釜内腔的70％——90％，档板上的开孔体积占档板体积的3％——5％，高压釜内档板上部温度控制在320℃——350℃，下部温度控制在360℃——390℃，籽晶在高压釜中生长周期为45——55天，即可得r块晶体产品。