[发明专利]宽禁带半导体材料中深能级中心的光离化截面测试方法

摘要

本发明涉及一种宽禁带半导体材料中深能级中心光离化截面的测试方法，该方法建立了计算光离化截面的公式和测试步骤，通过综合考虑GaN材料中深能级中心与入射光子相互作用同时存在载流子发射和俘获的基础上，给出了一种基于光电流分析的深能级中心光离化截面的新测试思路，即，在保证光电流变化为恒定的情况下，深能级中心的光离化截面与入射光强度成反比。并给出了一种基于PID技术的深能级中心测试方法。本发明操作方便、测试误差小、适用性强，可推广应用于宽禁带半导体材料和器件中深能级中心光离化截面的测试。

主权项

1、宽禁带半导体材料中深能级中心的光离化截面测试方法，其特征在于针对载流子浓度为n0、迁移率为μ的宽禁带半导体材料，宽禁带半导体材料中含有深能级中心，在光子能量小于宽禁带半导体材料禁带宽度的入射光能量的平行入射光作用下，深能级中心光离化截面公式为：$\sigma \left(\mathrm{hv}\right)=\frac{{\mathrm{An}}_{T0}^{\prime }n}{I\left(\mathrm{hv}\right)n_{T1}^{\prime }}其中，A为热激活作用下载流子克服回复势垒回复到深能级中心的几率，n为导带或价带中的载流子浓度，n\prime T1、n\prime T0分别是平衡时刻宽禁带半导体材料中被载流子占据的深能级中心浓度和未被占据的深能级中心浓度。$