[发明专利]半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法无效
| 申请号： | 200810020724.7 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101232148A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 赵裕兴;李立卫;吕楠楠 | 申请（专利权）人： | 苏州德龙激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/05;H01S3/16;H01S3/109;H01S3/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 地址： | 215021江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，采用两个半导体二级管构成双端泵浦激光晶体，输出808nm泵浦光经过非球面光学耦合系统及透镜耦合到激光晶体产生1064nm激光，再经过由五个平面镜构成的谐振腔进行腔内振荡，并由Q开关调制；调制后的1064nm基频光两次经过二倍频晶体进行1064nm基频光到532nm倍频光的转换，未完成倍频转换的1064nm基频光与532nm倍频光经过三倍频晶体和频，得到的355nm紫外激光从三倍频晶体布儒斯特角切割的一面输出。该方案激光腔内具有较大模体积，倍频晶体处具有小的激光光斑，三倍频晶体采用布儒斯特角切割方式大大减小了腔内损耗，实现高功率激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 双端泵浦高 功率 紫外 激光器 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，其特征在于：采用两个半导体二极管(1、9)构成双端泵浦方式泵浦激光晶体，其中一个半导体二极管(1)输出的808nm泵浦光经过由两个非球面透镜(2、3)构成的非球面光学耦合系统及透镜(4)耦合到激光晶体(5)内，另一个半导体二极管(9)输出的808nm泵浦光经过由两个非球面透镜(8、7)构成的非球面光学耦合系统及透镜(6)也耦合到激光晶体(5)内，产生的1064nm激光经过由五个平面镜(11、12、13、14、15)构成的谐振腔进行腔内振荡，并由Q开关(10)进行调制；调制的1064nm基频光两次经过二倍频晶体(16)进行1064nm基频光到532nm倍频光的转换，未完成二次倍频转换的剩余1064nm基频光与532nm倍频光经过三倍频晶体(17)进行和频，得到的355nm紫外激光从三倍频晶体布儒斯特角切割的一面输出。
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