[发明专利]一种全固态薄膜锂电池的制备方法无效
| 申请号： | 200810017623.4 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101527362A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 刘文元 | 申请（专利权）人： | 刘文元 |
| 主分类号： | H01M6/18 | 分类号： | H01M6/18;H01M10/38;C23C14/34;C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710024陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种全固态薄膜锂电池的制备方法，解决了现有全固态薄膜锂电池的制备工艺复杂且需要高温退火过程的技术问题。包括以下步骤：1.在基片表面沉积氮化钴薄膜；2.在氮化钴薄膜上沉积氮化的磷酸锂薄膜；3.在氮化的磷酸锂薄膜上沉积金属锂薄膜。具有结构简单，制备过程简单，比容量高，充放电循环性能良好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 固态 薄膜 锂电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种全固态薄膜锂电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1]在基片(1)表面沉积氮化钴薄膜：采用金属钴作为靶材，通过射频磁控溅射的方法沉积氮化钴薄膜，沉积时基片(1)温度小于100℃，直至氮化钴薄膜的厚度为100nm～2.0μm；2]在氮化钴薄膜上沉积氮化的磷酸锂薄膜：采用磷酸锂作为靶材，通过射频磁控溅射的方法沉积氮化的磷酸锂薄膜，直至氮化的磷酸锂薄膜的厚度为1.0～2.5μm；3]在氮化的磷酸锂薄膜上沉积金属锂薄膜：采用真空热蒸发沉积，本底压力为1×10-4Pa，基片温度为室温，蒸发速率500～1000nm/min，直至金属锂薄膜的厚度为100nm～3μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘文元，未经刘文元许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810017623.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
