[发明专利]PLL老化电路以及半导体集成电路无效
| 申请号： | 200780048484.5 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101573870A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 山田祐嗣;木下雅善;曾川和昭;中冢淳二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099;H03L7/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种PLL老化电路以及半导体集成电路。在未内置环路滤波器的PLL中，使用较少的电路结构构成用于以适当的振荡频率对压控振荡器进行老化测试的附加电路。经由开关(12a)在压控振荡器(10)内的电压电流变换晶体管(11)的栅极端子上连接与晶体管(11)相同极性的进行了二极管连接的晶体管(13)的栅极，在晶体管(13)的漏极端子上连接电流源(14)，适当地调整电流源(14)供给的电流值、晶体管(11)以及晶体管(13)的尺寸比，从而可以对压控振荡器(10)内的环形振荡器供给用于进行老化测试而所需的电流。 | ||
| 搜索关键词： | pll 老化 电路 以及 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种PLL老化电路，向构成内置于半导体集成电路中的锁相环电路(以下称为PLL)的压控振荡器中的将对其栅极端子施加的电压变换为电流的电压电流变换晶体管，施加老化用的电压，其特征在于，具备：电流源，一端与第一电源连接；第一晶体管，具有与上述电压电流变换晶体管相同极性，并且漏极端子与上述电流源的另一端连接且源极端子与第二电源连接；以及电位切换单元，在PLL老化时，使上述压控振荡器的栅极端子的电位与上述第一晶体管的栅极端子的电位以及漏极(或者源极)端子的电位相等，在通常动作时，使上述电压电流变换晶体管的栅极端子成为高阻抗。
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