[发明专利]具有直通芯片连接的前端处理晶片有效
| 申请号： | 200780047912.2 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101663742A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 约翰·特雷扎 | 申请（专利权）人： | 丘费尔资产股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法，包括在装置支承半导体晶片中形成过孔，使装置支承半导体晶片中的至少一些过孔导电，以及对装置支承半导体晶片进行后端处理，以便在导电过孔和金属化层之间建立电连接。一种替换的方法，包括在装置支承半导体晶片中形成过孔，使装置支承半导体晶片中的至少一些过孔导电，以及处理装置支承半导体晶片，以便在导电过孔和传导半导体层之间建立电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 直通 芯片 连接 前端 处理 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其特征在于，包括：在装置支承半导体晶片中形成过孔；使所述装置支承半导体晶片中的所述过孔中的至少一些过孔导电；以及对所述装置支承半导体晶片进行后端处理，以在导电过孔和金属化层之间建立电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
