[发明专利]用于分离硅晶片的方法和设备有效
| 申请号： | 200780047417.1 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101652849A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 佩尔·阿尔内·王;阿尔内·拉姆斯兰;奥勒·克里斯蒂安·特朗鲁德;埃里克·耶塔斯;本特·哈梅尔;安德烈·斯凯伊;奥拉·特朗鲁德 | 申请（专利权）人： | REC斯坎沃佛股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/683;B65G49/06;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张建涛 |
| 地址： | 挪威波*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于从硅晶片(12)的竖直堆(10)中分离硅晶片(12a)的方法。该方法的特征在于它包括将可移动传输设备(2)附接到堆(10)中的硅晶片(12a)的表面，以及硅晶片(12a)平行(A)于该硅晶片(12a)表面的水平移动，直到硅晶片(12a)从堆(10)分离。本发明还包括一种用于实施该方法的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分离 晶片 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于从硅晶片的水平堆分离硅晶片的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：a)将可移动传输设备(2)附接到所述堆(10)中的最外硅晶片(12a)的表面，b)在基本竖直的平面中移动所述硅晶片(12a)，直到所述硅晶片(12a)从所述堆(10)分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
