[发明专利]使用早期源极侧升压减少非易失性存储装置中的编程干扰有效
| 申请号： | 200780045737.3 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101584004A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 东英达;杰弗里·W·卢策 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/12;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在非易失性存储装置中通过使阵列中的未选定NAND串升压而减少编程干扰，使得在所述选定字线的漏极侧上的漏极侧沟道之前使选定字线的源极侧上的源极侧沟道升压。在一种方法中，当所述选定字线为较低或中间字线时使用第一升压模式。在所述第一升压模式中，同时起始所述源极侧和漏极侧沟道的升压。当所述选定字线为较高字线时使用第二升压模式。在所述第二升压模式中，所述源极侧沟道的升压相对于所述漏极侧沟道的所述升压较早地发生。任一升压模式包含隔离电压，所述隔离电压往往使所述源极侧和漏极侧沟道彼此隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 早期 源极侧 升压 减少 非易失性 存储 装置 中的 编程 干扰 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作非易失性存储装置的方法，其包括：使衬底的第一区升压，一组非易失性存储元件至少部分地形成于所述衬底上，所述组非易失性存储元件与一组字线相关联且包含至少一个与所述组字线中的选定字线相关联的非易失性存储元件，所述第一区在所述选定字线的源极侧上；以及使所述衬底的在所述选定字线的漏极侧上的第二区升压，所述第一区的所述升压相对于所述第二区的所述升压较早地发生。
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