[发明专利]使用早期源极侧升压减少非易失性存储装置中的编程干扰

权利要求书

1.一种用于对NAND型非易失性存储装置进行编程的方法，其包括：

使衬底的第一区升压，一组非易失性存储元件至少部分地形成于所述衬底上，所 述一组非易失性存储元件与一组字线相关联且包含至少一个与所述一组字线中的 选定字线相关联的非易失性存储元件，所述第一区在所述选定字线的源极侧上；以 及

使所述衬底的在所述选定字线的漏极侧上的第二区升压，

其中结合经由所述选定字线对所述至少一个非易失性存储元件的编程而执行所 述第一区和第二区的所述升压，且

其中所述第一区的升压开始与所述第二区的升压开始之间的延迟随选定字线位 置而变化，从而当所述选定字线在所述一组字线的邻近于所述一组非易失性存储元 件的漏极侧的第一字线群组中时，所述第一区的所述升压相对于所述第二区的所述 升压较早地起始；且当所述选定字线不在所述一组字线的邻近于所述一组非易失性 存储元件的所述漏极侧的所述第一字线群组中时，同时起始所述第一区和第二区的 所述升压。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一区和第二区的所述升压期间，将隔离电压施加于所述一组字线中的在 所述选定字线的所述源极侧上的至少一个字线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一区的所述升压包括将通过电压施加于所述一组字线中的在所述选定字 线的所述源极侧上的至少一个字线，且所述第二区的所述升压包括将通过电压施加 于所述一组字线中的在所述选定字线的所述漏极侧上的至少一个其它字线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述一组非易失性存储元件提供于至少一个NAND串中，所述NAND串在源极 侧选择栅极与漏极侧选择栅极之间延伸。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：

在所述第一区和第二区的所述升压期间将所述源极侧选择栅极和所述漏极侧选 择栅极维持关闭。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在涉及所述第一区和第二区的所述升压的时间周期的至少一部分期间经由所述 选定字线将编程电压施加于所述至少一个非易失性存储元件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述衬底的所述第二区的所述升压在所述将所述编程电压施加于所述选定字线 上期间继续。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一区和第二区的所述升压期间，将隔离电压施加于所述一组字线中的在 所述源极侧上的至少一个字线。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一字线群组包括所述一组字线中大约25％的所述字线。

10.一种NAND型非易失性存储系统，其包括：

一组非易失性存储元件，其至少部分地形成于衬底上；

一组字线，其与所述一组非易失性存储元件相关联，包含与所述一组非易失性存 储元件中的至少一个非易失性存储元件相关联的选定字线；以及

一个或多个控制电路，其与所述一组非易失性存储元件通信，所述一个或多个控 制电路使所述衬底的在所述选定字线的源极侧上的第一区升压，且使所述衬底的在 所述选定字线的漏极侧上的第二区升压，

其中结合经由所述选定字线对所述至少一个非易失性存储元件的编程而执行所 述第一区和第二区的所述升压，且

其中所述第一区的升压开始与所述第二区的升压开始之间的延迟随选定字线位 置而变化，从而当所述选定字线在所述一组字线的邻近于所述一组非易失性存储元 件的漏极侧的第一字线群组中时，所述一个或多个控制电路相对于所述第二区的所 述升压较早地起始所述第一区的升压；且当所述选定字线不在所述一组字线的邻近 于所述一组非易失性存储元件的所述漏极侧的所述第一字线群组中时，同时起始所 述第一区和第二区的所述升压。