[发明专利]高产量的晶片刻痕校准器无效

专利信息
申请号: 200780045075.X 申请日: 2007-11-30
公开(公告)号: CN101548374A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 罗伯特·米雀尔;约瑟夫·费瑞拉 申请(专利权)人: 艾克塞利斯科技公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开一种离子植入装置、系统与方法,用于在真空与大气压力之间转移多个工件,其中,校准机构可操作为校准多个工件,用于同时转移至双工件装载闭锁室。此校准机构包括特征描述装置、升降机、及两个垂直排列的用于支撑两个工件的工件支架。第一与第二大气压力机器人构造成用于在装载闭锁模块、校准机构与前端开口整合盒(FOUP)之间一次同时移动两个工件。第三与第四真空机器人构造成用于在装载闭锁模块与加工模块之间一次转移一个工件。
搜索关键词: 产量 晶片 刻痕 校准
【主权项】:
1. 一种校准与缓冲设备,用于确定多个工件的定向,所述校准机构包括:底座;工件缓冲装置,所述工件缓冲装置包括彼此大致垂直排列的多个工件托架站,其中每个工件托架站可操作为选择性地将多个工件各自地支撑在各自的缓冲位置上;升降机装置,其可操作地连接至该底座,其中该升降机装置可操作为将所述多个工件的每一个从所述各自的缓冲位置垂直地平移至特征描述位置,且围绕与所述升降机装置相关的轴线转动每个各自的工件;以及特征描述装置,其与该特征描述位置相关,其中,当各自的工件的每一个处于所述特征描述位置时,该特征描述装置可操作为检测出与所述多个工件的每一个相关的一个或更多特性。
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