[发明专利]信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶无效
| 申请号： | 200780037581.4 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101522431A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 西原孝史;儿岛理惠;山田升;松永利之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | B41M5/26 | 分类号： | B41M5/26;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/254;G11B7/257;G11B7/258;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在记录层的厚度为3nm左右的非常薄的情况下记录信息时的记录灵敏度高、且消除性能也好的信息记录介质。在通过照射光或施加电能而能记录信息的信息记录介质(15)中，至少具有引起相变化的记录层(104)，记录层(104)将选自Zn、Si和C中的至少一种元素和Sb含有共计85原子％以上，优选其组成以组成式Sb100-a1M1a(原子％)(其中，M1为选自Zn、Si和C中的至少一种元素，a1表示以原子％表示的组成，并且满足0＜a1≤50。)来表示。 | ||
| 搜索关键词： | 信息 记录 介质 及其 制造 方法 以及 溅射 | ||
【主权项】：
1、一种信息记录介质，其是通过照射光或施加电能而能够记录信息的信息记录介质，其中，至少具有能发生相变化的记录层，所述记录层将选自Zn、Si以及C中的至少一种元素和Sb共计含有85原子％以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780037581.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录设备、信息再现方法和信息再现设备
- 信息记录装置、信息记录方法、信息记录介质、信息复制装置和信息复制方法
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录设备、信息重放设备、信息记录方法、信息重放方法、以及信息记录介质
- 信息存储介质、信息记录方法、信息重放方法、信息记录设备、以及信息重放设备
- 信息存储介质、信息记录方法、信息回放方法、信息记录设备和信息回放设备
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录装置、信息再现方法和信息再现装置
- 信息终端，信息终端的信息呈现方法和信息呈现程序
- 信息创建、信息发送方法及信息创建、信息发送装置
