[发明专利]干蚀刻装置及方法有效
| 申请号： | 200780033218.5 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101512735A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 森川泰宏;邹红罡 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C01B33/12;C03C15/00;H03H3/02;H03H3/08;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10-7/℃以上的材料构成的被加工物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种干蚀刻装置，其特征在于：包括具有凸型形状的表面的电极结构体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780033218.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
