[发明专利]基板处理装置及其板处理方法有效
| 申请号： | 200780033165.7 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101512725A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 永井达夫;森田博志;高桥弘明;内田博章;林豊秀 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社;大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G02F1/13;B08B3/02;H01L21/304;B08B3/08;G11B7/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够从基板很好地去除抗蚀剂，并且能够再利用在该抗蚀剂的去除中使用过的处理液的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持装置，其用于保持基板；过硫酸生成装置，其使用硫酸生成过硫酸；混合装置，其对通过所述过硫酸生成装置生成的过硫酸以及与由所述过硫酸生成装置使用的硫酸相比更高温并且更高浓度的硫酸加以混合；以及喷出装置，其将通过所述混合装置混合的过硫酸和硫酸的混合液作为从基板去除抗蚀剂用的处理液，并向保持在所述基板保持装置的基板喷出。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种基板处理装置，其特征在于，包括：用于保持基板的基板保持装置；使用硫酸生成过硫酸的过硫酸生成装置；将通过所述过硫酸生成装置生成的过硫酸与比所述过硫酸生成装置所用硫酸更高温度并且更高浓度的硫酸进行混合的混合装置；以及将通过所述混合装置混合的过硫酸和硫酸的混合液作为从基板去除抗蚀剂用的处理液，并向保持在所述基板保持装置的基板喷出的喷出装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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