[发明专利]包含要求金属层与衬底之间的电压阈值的工艺的用于制造集成电子电路的工艺无效
| 申请号： | 200780027712.0 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102124553A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 洛朗·G·戈塞 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造包括多层互连堆叠的电子集成电路的工艺。通过需要产生跨接近旁的基本互连线(36)和衬底的局部电压的工艺来形成诸如MIM电容器之类的结构(26)。提供了与基本互连线(36)交叉的第二互连路径(42)，在已经形成所述结构(26)之后去除基本互连线，从而在基本互连线(36)中产生开路。因此，提高了电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 要求 金属 衬底 之间 电压 阈值 工艺 用于 制造 集成 电子电路 | ||
【主权项】：
一种制造电子集成电路的方法，该方法包括：在衬底上提供至少一个电介质层(17，19，20)；形成基本金属互连线(36)和第二互连路径(42)，其中基本金属互连线(36)从第一位置开始穿过所述电介质层到达所述衬底，第二互连路径(42)从所述基本互连线(36)开始到达与第一位置不同的第二位置；产生邻近所述基本互连线(36)的结构(26)；以及经由所述第二互连路径(42)去除在所述基本互连线(36)和所述第二互连路径(42)交叉处的所述基本互连线(36)的至少一部分，从而在所述基本互连线(36)中形成开路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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