[发明专利]制备Ⅲ-N体晶和自支撑Ⅲ-N衬底的方法以及Ⅲ-N体晶和自支撑Ⅲ-N衬底有效
| 申请号： | 200780016871.0 | 申请日： | 2007-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101443488A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | G·莱比格;F·哈贝尔;S·艾希勒 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种制备III-N体晶的方法，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的III-N体晶以及从上面分离的单个的III-N单晶衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 支撑 衬底 方法 以及 | ||
【主权项】：
1. 一种制备III-N体晶的方法，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底或者模版上生长，其中，生长速率是即时测量的。
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