[发明专利]用于在非易失性存储器装置中读取多电平单元的方法有效
| 申请号： | 200780015714.8 | 申请日： | 2007-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101432819A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 河昌完 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器装置，其具有包含多个存储器单元的存储器阵列。所述阵列能够以多电平单元或单电平单元模式操作，且每一单元具有下部数据页和上部数据页。所述存储器装置具有用于存储旗标数据的数据锁存器和耦合到所述数据锁存器的高速缓冲存储器锁存器。本发明提供一种读取方法，其包含起始存储器单元的下部页读取和从所述数据锁存器读取指示下部页读取操作是否有必要的旗标数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 装置 读取 电平 单元 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在具有包含多个存储器单元的存储器阵列的存储器装置中读取具有下部和上部数据页的非易失性存储器单元的方法，所述存储器阵列耦合到主要数据高速缓冲存储器，所述主要数据高速缓冲存储器耦合到次要数据高速缓冲存储器，所述方法包含：从所述非易失性存储器单元感测数据；从所述主要数据高速缓冲存储器读取指示是否要执行下部页读取的指示。
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