[发明专利]用于在非易失性存储器装置中读取多电平单元的方法

权利要求书

1.一种用于在具有包含多个存储器单元的存储器阵列的存储器装置中读取具有下部和上部数据页的非易失性存储器单元的方法，所述存储器阵列耦合到主要数据高速缓冲存储器，所述主要数据高速缓冲存储器耦合到次要数据高速缓冲存储器，所述方法包含：

从所述非易失性存储器单元感测数据；

从所述主要数据高速缓冲存储器读取下部页读取指示，其指示是否要执行下部页读取，其中，所述下部页读取指示是在进行所述下部页读取之前读取的；及

响应于指示已执行上部页读取的所述指示而产生下部页读取电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中起始所述下部页读取包含产生介于多电平单元的两个电平之间的第一状态读取电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一状态读取电压大于所述下部页读取电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述指示是存储在旗标存储器单元中的旗标。

5.根据权利要求1所述的方法，且进一步包含：

产生读取电压；

起始存储器单元的上部页读取；

从所述主要数据高速缓冲存储器读取指示是否已执行所述上部页读取的旗标数据；

响应于所述旗标数据而产生下部页读取电压；以及

如果所述旗标数据指示已执行所述上部页读取，那么将数据从数据锁存器传送到所述高速缓冲存储器锁存器。

6.根据权利要求5所述的方法，其中产生所述读取电压包括接通电压泵。

7.根据权利要求5所述的方法，且进一步包括从所述高速缓冲存储器锁存器读出数据。

8.根据权利要求5所述的方法，其中起始所述存储器单元的所述上部页读取包含产生大于所述下部页读取电压的第一读取电压。

9.根据权利要求1所述的方法，且进一步包含：

感测存储器单元数据；

将所述存储器单元数据存储在主要数据锁存器中；

从所述主要数据锁存器读取旗标数据；

如果所述旗标数据指示不请求下部页读取操作，那么：

将上部页存储器单元数据从所述主要数据锁存器传送到所述次要数据锁存器；以及

从所述次要数据锁存器读取所述数据；以及

如果所述旗标数据指示请求所述下部页读取操作，那么：

产生下部页读取电压以从存储器单元读取所述下部数据页；

将上部页和下部页存储器单元数据从所述主要数据锁存器传送到所述次要数据锁存器；以及

从所述次要数据锁存器读取所述数据。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述下部和上部数据页由四个电平的阈值电压分布指示。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述下部页读取电压偏置选定字线。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述下部页读取电压小于上部页读取电压。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个存储器单元中的单电平单元具有两个阈值电压分布，且所述下部页读取电压介于所述两个分布之间。

14.一种存储器系统，其包含：

处理器，其产生存储器信号；以及

快闪存储器装置，其耦合到所述处理器且响应于所述存储器信号而操作，所述快闪存储器装置包含：

存储器阵列，其包含多个非易失性存储器单元，每一存储器单元适于为多电平单元；

旗标存储器阵列，其用于存储指示是否要执行下部页读取的旗标数据；

数据锁存器，其耦合到所述存储器阵列和所述旗标存储器阵列以用于存储从选定存储器单元感测的数据；

高速缓冲存储器锁存器，其耦合到所述数据锁存器以用于存储来自所述数据锁存器的数据；以及

控制电路，其经配置以从所述数据锁存器读取指示是否要执行下部页读取操作的旗标数据，其中所述控制电路进一步经配置以在进行所述下部页读取操作之前读取所述旗标数据，且其中所述控制电路进一步经配置以响应于指示已执行上部页读取的所述指示而产生下部页读取电压。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述存储器阵列是NAND结构存储器阵列。