[发明专利]薄膜形成方法及薄膜层叠结构无效
| 申请号： | 200780009667.6 | 申请日： | 2007-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101405843A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 上田博一;野泽俊久 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种薄膜形成方法，其特征在于，该方法包括如下工序：在被处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜的工序；在形成于被处理体的表面上的防充电损伤膜的表面上通过溅射形成所期望的薄膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 层叠 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成方法，其特征在于，该方法包括以下工序：防止膜形成工序，在被处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜；薄膜形成工序，在形成于被处理体的表面上的防充电损伤膜的表面上通过溅射形成所期望的薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780009667.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
