[发明专利]利用具有增强的电子跃迁的材料的光电子器件无效
| 申请号： | 200780006811.0 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101405864A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | M·R·布莱克 | 申请（专利权）人： | 洛斯阿拉莫斯国家安全有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李 娜;王小衡 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光电子器件，包括具有增强的电子跃迁的材料。该电子跃迁通过在界面处的混合的电子态被增强。该界面可以由纳米阱、纳米点或纳米线形成。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 具有 增强 电子 跃迁 材料 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1、一种光电子器件，该器件包括：a.透明导体；b.固态导体；和c.置于该透明导体和该固态导体之间的材料，使得该材料的至少一部分和该透明导体以及该固态导体电接触，其中该材料具有费米能级、多个载流子袋以及界面处的混合的电子态，其中所述混合的电子态包括小于该费米能级的kT或在该费米能级的kT以内的初始状态，和大于该费米能级的kT或在该费米能级的kT以内的第二状态，其中k是波尔兹曼常数，T是开氏温度，并且其中该材料在该界面处具有预定的对称中断。
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